[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201510350349.2 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN105274497B | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 佐佐木隆史;山本哲夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 即使在经由簇射头进行气体供给的情况下,也能充分且良好地对簇射头内及处理空间内的各空间进行清洁处理。一种衬底处理装置,其具有:处理空间,其对衬底进行处理;簇射头缓冲室,其隔着设置有贯通孔的分散板而与处理空间相邻;非活性气体供给系统,其向簇射头缓冲室内供给非活性气体;处理空间清洁气体供给系统,其向处理空间内供给清洁气体;控制部,其控制非活性气体供给系统及处理空间清洁气体供给系统,使得清洁气体向处理空间的供给和非活性气体向簇射头缓冲室的供给同时进行。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理装置,其具有:处理空间,其对衬底进行处理;簇射头缓冲室,其隔着设置有贯通孔的分散板而与所述处理空间相邻;非活性气体供给系统,其在所述处理空间不存在所述衬底的状态下,以形成气幕的方式向所述簇射头缓冲室内供给非活性气体而不供给清洁气体;处理空间清洁气体供给系统,其向所述处理空间内供给所述清洁气体;控制部,其被构成为:以同时进行向所述处理空间供给清洁气体和向所述簇射头缓冲室供给非活性气体的方式控制所述非活性气体供给系统及所述处理空间清洁气体供给系统。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立国际电气,未经株式会社日立国际电气许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510350349.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的