[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201510350349.2 申请日: 2015-06-23
公开(公告)号: CN105274497B 公开(公告)日: 2018-08-07
发明(设计)人: 佐佐木隆史;山本哲夫 申请(专利权)人: 株式会社日立国际电气
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;李文屿
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 即使在经由簇射头进行气体供给的情况下,也能充分且良好地对簇射头内及处理空间内的各空间进行清洁处理。一种衬底处理装置,其具有:处理空间,其对衬底进行处理;簇射头缓冲室,其隔着设置有贯通孔的分散板而与处理空间相邻;非活性气体供给系统,其向簇射头缓冲室内供给非活性气体;处理空间清洁气体供给系统,其向处理空间内供给清洁气体;控制部,其控制非活性气体供给系统及处理空间清洁气体供给系统,使得清洁气体向处理空间的供给和非活性气体向簇射头缓冲室的供给同时进行。
搜索关键词: 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种衬底处理装置,其具有:处理空间,其对衬底进行处理;簇射头缓冲室,其隔着设置有贯通孔的分散板而与所述处理空间相邻;非活性气体供给系统,其在所述处理空间不存在所述衬底的状态下,以形成气幕的方式向所述簇射头缓冲室内供给非活性气体而不供给清洁气体;处理空间清洁气体供给系统,其向所述处理空间内供给所述清洁气体;控制部,其被构成为:以同时进行向所述处理空间供给清洁气体和向所述簇射头缓冲室供给非活性气体的方式控制所述非活性气体供给系统及所述处理空间清洁气体供给系统。
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