[发明专利]可同时实现减反和多结构陷光的薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201510350868.9 | 申请日: | 2015-06-19 |
公开(公告)号: | CN105161548A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 宋伟杰;鲁越晖;张景;李佳;郑立人;张贤鹏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0236 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 刘诚午 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种可同时实现减反和多结构陷光的薄膜,由下至上依次为介质薄膜层、主体薄膜层和透明导电氧化物层;介质薄膜层的折射率为1.3~2;主体薄膜层由溶胶B成膜得到,溶胶B由空心SiO2纳米颗粒溶胶与纳米粘结剂溶胶经杂化处理制得;溶胶B中空心SiO2纳米颗粒溶胶与纳米粘结剂溶胶的质量比为1:0~1;透明导电氧化物层与主体薄膜层接触,透明导电氧化物层中的透明导电氧化物与主体薄膜层中的空心SiO2纳米颗粒融合,构成过渡区。本发明公开的薄膜,可同时实现减反和多结构陷光,且对于长、短波光均有较好的作用。 | ||
搜索关键词: | 同时 实现 结构 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种可同时实现减反和多结构陷光的薄膜,其特征在于,由下至上依次为介质薄膜层、主体薄膜层和透明导电氧化物层;所述的介质薄膜层的折射率为1.3~2;所述的主体薄膜层由溶胶B成膜得到,溶胶B由空心SiO2纳米颗粒溶胶与纳米粘结剂溶胶经杂化处理制得;所述的透明导电氧化物层与主体薄膜层接触,透明导电氧化物层中的透明导电氧化物与主体薄膜层中的空心SiO2纳米颗粒融合,构成过渡区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所,未经中国科学院宁波材料技术与工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510350868.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种百叶窗自动控制系统
- 下一篇:利用一种表面耐压层结构的绝缘栅双极型器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的