[发明专利]可同时实现减反和多结构陷光的薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510350868.9 申请日: 2015-06-19
公开(公告)号: CN105161548A 公开(公告)日: 2015-12-16
发明(设计)人: 宋伟杰;鲁越晖;张景;李佳;郑立人;张贤鹏 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0236
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 刘诚午
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种可同时实现减反和多结构陷光的薄膜,由下至上依次为介质薄膜层、主体薄膜层和透明导电氧化物层;介质薄膜层的折射率为1.3~2;主体薄膜层由溶胶B成膜得到,溶胶B由空心SiO2纳米颗粒溶胶与纳米粘结剂溶胶经杂化处理制得;溶胶B中空心SiO2纳米颗粒溶胶与纳米粘结剂溶胶的质量比为1:0~1;透明导电氧化物层与主体薄膜层接触,透明导电氧化物层中的透明导电氧化物与主体薄膜层中的空心SiO2纳米颗粒融合,构成过渡区。本发明公开的薄膜,可同时实现减反和多结构陷光,且对于长、短波光均有较好的作用。
搜索关键词: 同时 实现 结构 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种可同时实现减反和多结构陷光的薄膜,其特征在于,由下至上依次为介质薄膜层、主体薄膜层和透明导电氧化物层;所述的介质薄膜层的折射率为1.3~2;所述的主体薄膜层由溶胶B成膜得到,溶胶B由空心SiO2纳米颗粒溶胶与纳米粘结剂溶胶经杂化处理制得;所述的透明导电氧化物层与主体薄膜层接触,透明导电氧化物层中的透明导电氧化物与主体薄膜层中的空心SiO2纳米颗粒融合,构成过渡区。
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