[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510351099.4 申请日: 2015-06-23
公开(公告)号: CN105140319B 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 潘锋;梁军;林钦贤;苏彦涛;张明建;梅宗维;杨晓杨 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/18;H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281 代理人: 郭燕,彭家恩
地址: 518055 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方法。本申请的薄膜太阳能电池,包括前电极层、半导体层、背电极层和隧穿整流层,隧穿整流层设于前电极层和半导体层间,或者设于半导体层和背电极层间,或者同时设于前电极层和半导体层间,以及半导体层和背电极层间;隧穿整流层为单层或多层结构,隧穿整流层的材质为金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氟化物中的至少一种。本申请的薄膜太阳能电池,在前电极层和/或背电极层的表面设置隧穿整流层,利用隧穿整流层对电子进行整流,从而有效的避免了载流子的复合,提高太阳能电池的短路电流以及开路电压,进而提高光电转化效率。
搜索关键词: 一种 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池,包括前电极层、半导体层和背电极层,其特征在于:还包括隧穿整流层,所述隧穿整流层设置于所述前电极层和半导体层之间,或者隧穿整流层设置于所述半导体层和背电极层之间,或者隧穿整流层同时设置于前电极层和半导体层之间,以及半导体层和背电极层之间;所述隧穿整流层为多层结构,隧穿整流层的多层结构中的每层的材质为金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氟化物中的至少一种;所述薄膜太阳能电池为碲化镉薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池、铜锌硒硫薄膜太阳能电池、钙钛矿型薄膜太阳能电池和有机薄膜太阳能电池中的至少一种。
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