[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201510351815.9 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104882473A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;坂田淳一郎;细羽幸;高桥辰也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括一个衬底上方的驱动电路和像素，该驱动电路包括第一薄膜晶体管，该像素包括第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅电极层、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一氧化物导电层、第二氧化物导电层、与第一氧化物半导体层的一部分接触并且与第一氧化物导电层和第二氧化物导电层的外围和侧表面接触的氧化物绝缘层、第一源电极层以及第一漏电极层。第二薄膜晶体管包括第二栅电极层、第二氧化物半导体层、以及都使用透光材料形成的第二源电极层和第二漏电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：驱动电路，所述驱动电路包括第一晶体管；和像素，所述像素包括像素电极层和第二晶体管，所述第一晶体管包括：栅电极层；位于所述栅电极层上方的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层上方的氧化物半导体层；氧化物绝缘层，所述氧化物绝缘层覆盖所述氧化物半导体层的侧表面；以及位于所述氧化物绝缘层上方的源电极层和漏电极层，所述源电极层和所述漏电极层与所述氧化物半导体层电连接，其中所述像素电极层位于所述第一晶体管上方。
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