[发明专利]一种MEMS谐振结构的加工方法

摘要

本发明公开一种MEMS谐振结构的加工方法，提供硅晶圆作为衬底硅，在衬底硅的表面生长第一掩膜层；在第一掩膜层上加工开口图样；通过干法刻蚀去除与开口图样对应部分的第一掩膜层以及衬底硅，在衬底硅上形成凹槽结构；生长第二掩膜层，在所述凹槽结构的凹槽侧壁以及凹槽底部形成第二掩膜层，在所述衬底硅表面形成复合掩膜层；通过干法刻蚀去除所述第二掩膜层，使所述凹槽底部的所述第二掩膜层全部去除；通过干法刻蚀再次对所述衬底硅进行刻蚀，使所述凹槽结构加深，并使得新刻蚀的凹槽侧壁上没有掩膜层覆盖；通过湿法刻蚀在所述衬底硅内部连通开口图样形成空腔；淀积下电极、压电功能材料以及上电极；图形化并通过干法刻蚀释放谐振结构。

主权项

一种MEMS谐振结构的加工方法，其特征在于,包括以下步骤：步骤S1、提供硅晶圆作为衬底硅，在所述衬底硅的表面生长第一掩膜层；步骤S2、在所述第一掩膜层上加工开口图样；步骤S3、去除与所述开口图样对应部分的所述第一掩膜层以及所述衬底硅，在所述衬底硅上形成凹槽结构；步骤S4、生长第二掩膜层，在所述凹槽结构的凹槽侧壁以及凹槽底部形成第二掩膜层，在所述衬底硅表面形成复合掩膜层；步骤S5、刻蚀去除所述第二掩膜层，使所述凹槽底部的所述第二掩膜层全部去除，而衬底硅表面以及凹槽侧壁仍有掩膜层覆盖；步骤S6、再次对所述衬底硅进行刻蚀，使所述凹槽结构加深，形成第二级凹槽，并使得新刻蚀的凹槽侧壁上没有掩膜层覆盖；步骤S7、通过湿法刻蚀在所述衬底硅内部连通开口图样形成空腔；步骤S8、淀积下电极、压电功能材料以及上电极；步骤S9、图形化并通过干法刻蚀释放谐振结构；所述步骤S7还包括：步骤S71、湿法刻蚀完成后，清除之前所有掩膜层结构；步骤S72、在所述衬底硅的所有表面重新均匀的生长一层或多层谐振结构频率温度漂移补偿材料层。