[发明专利]α‑Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作方法

摘要

α‑Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作方法，它涉及一种单晶表面SiO2掩膜的制作方法。本发明是要解决光刻工艺制备SiO2掩膜步骤复杂，成本高，导致现有α‑Al2O3单晶表面SiO2掩膜难以在α‑Al2O3上制备的问题。方法一、预处理；二、将分散了SiO2球的无水乙醇滴加于α‑Al2O3单晶表面；三、将经步骤二处理后的α‑Al2O3单晶置于室温下5min，然后放置于管式炉中处理，即完成α‑Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作。本发明的能简单地在α‑Al2O3单晶表面制备SiO2掩膜，且可得到微米级六边形SiO2掩膜和纳米级半球形SiO2掩膜，该制备方法重复性好。制备的SiO2掩膜设备简单，操作方便，易于掌握，过程安全、无污染。本发明属于掩膜的制备领域。

主权项

α‑Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作方法，其特征在于α‑Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作方法是通过以下步骤实现的：一、预处理：在室温下，将α‑Al2O3单晶置于乙醇中浸泡12h，然后用去离子水冲洗α‑Al2O3单晶，再氮气吹干；在室温下，将SiO2球加入到无水乙醇中，超声分散10min；二、将经过步骤一处理的α‑Al2O3单晶置于刚玉坩埚中，并将分散了SiO2球的无水乙醇滴加于α‑Al2O3单晶表面，至分散了SiO2球的无水乙醇铺满α‑Al2O3单晶的表面；三、将经步骤二处理后的α‑Al2O3单晶置于室温下5min，然后放置于管式炉中，设置管式炉温度由20℃经200min升温到1000℃，并恒温20min，再由1000℃经80min升温到1300℃～1450℃，恒温1h～2h，最后由1300℃～1450℃经800min降温至20℃，完成α‑Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作。