[发明专利]真空镀膜基片清洗方法在审
| 申请号： | 201510355273.2 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN106319443A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 马远周 | 申请（专利权）人： | 马远周 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 617000 四川省攀枝*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 真空镀膜基片清洗方法,将基片固定在夹具上，往超声波机中加入洗涤剂溶液，加热到60℃左右，将基体放入超声波机里清洗10分钟后，用高压氮气将基体吹干，最后放到烘干器中烘10分钟，待基体完全干燥后装进真空室工架上，关闭真空室，开启真空系统抽气，当真空室本底真空度低于0.001帕斯卡时，通入氩气，使真空度维持在0.1帕斯卡至0.9帕斯卡，开启离子溅射电源，对工架上的基片进行溅射清洗。通过离子溅射，可以将超声清洗不完全的附着在基片表面的污渍，残余气体等去除，并且可以活化基片表面，提高薄膜与具体的结合力。 | ||
| 搜索关键词： | 真空镀膜 清洗 方法 | ||
【主权项】：
真空镀膜基片清洗方法,将基片固定在夹具上，往超声波机中加入洗涤剂溶液，加热到60℃左右，将基体放入超声波机里清洗10分钟后，用高压氮气将基体吹干，最后放到烘干器中烘10分钟，待基体完全干燥后装进真空室工架上，其特征在于，还包括离子溅射清洗，当真空室本底真空度低于0.001帕斯卡时，通入氩气，使真空度维持在0.1帕斯卡至0.9帕斯卡，开启离子溅射电源，对工架上的基片进行溅射清洗。
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