[发明专利]层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201510355697.9 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN105206514A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/363 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法。一个实施例是用于制造层叠的氧化物材料的方法，包括步骤：在基底组件上形成氧化物组分；通过热处理形成从氧化物组分表面向内生长的第一氧化物结晶组分，并在基底组件表面正上方留有非晶组分；以及在该第一氧化物结晶组分上层叠第二氧化物结晶组分。特定地，第一氧化物结晶组分和第二氧化物结晶组分具有共同的c-轴。在共晶生长或异晶生长的情况下导致同轴(轴向)生长。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 氧化物 材料 半导体器件 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造层叠的氧化物材料的方法，包括以下步骤：在基底组件上形成氧化物组分；通过热处理形成从所述氧化物组分上表面向内生长的第一氧化物结晶组分，并在所述基底组件表面正上方留有非晶组分；且在所述第一氧化物结晶组分上层叠第二氧化物结晶组分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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