[发明专利]结势垒肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510356521.5 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105226102B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 田中智章 | 申请（专利权）人： | 辛纳普蒂克斯日本合同会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了结势垒肖特基二极管及其制造方法。减小逆向电流并使正向电流大。在结势垒肖特基二极管中，用于在第一导电型的第一半导体区域以规定间隔与该第一半导体区域间形成pn接合区域的第二导电型的多个第二半导体区域被错开形成为交错状。在第二半导体区域间的区域形成用于形成肖特基接合区域的第一导电型的第三半导体区域。在第二半导体区域和第三半导体区域上形成电极。第二半导体区域在从阳极电极起的平面视图中具有四边形形状。沿Y方向具备多列的被沿X方向等间隔配置的第二半导体区域的列。以与各列的列内的第二半导体区域的X方向的间隔尺寸相比列间的第二半导体区域的Y方向的间隔尺寸变得更大的方式，对邻接的列间的X方向的偏移量进行设定。 | ||
| 搜索关键词： | 结势垒肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结势垒肖特基二极管，包含：在半导体基板上具有第一导电型的第一半导体区域，在该第一半导体区域被按交错状配置形成的第二导电型的多个第二半导体区域，pn接合区域以规定间隔形成在该多个第二半导体区域与该第一半导体区域之间，在所述第二半导体区域之间的区域形成的用于形成肖特基接合区域的第一导电型的第三半导体区域，以及在所述第二半导体区域和第三半导体区域之上形成的电极，在该结势垒肖特基二极管中，每个所述第二半导体区域在从所述电极起的平面视图中具有四边形形状，沿Y方向具备多列的被沿X方向等间隔地配置的所述第二半导体区域的列，以与各所述列内的所述第二半导体区域的X方向的间隔相比不同所述列内的所述第二半导体区域之间的Y方向的间隔变得更大的方式，对邻接的列之间的X方向的偏移量进行设定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于辛纳普蒂克斯日本合同会社，未经辛纳普蒂克斯日本合同会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510356521.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含定向扩散结的肖特基器件及制造方法
- 下一篇：半导体结构
- 同类专利
- 专利分类
