[发明专利]一种晶硅薄膜的转移制备方法

摘要

本发明公开了一种晶硅薄膜的转移制备方法，包括外延所需的晶硅衬底，在衬底表面通过处理形成的脆化层，以及进一步的在脆化层上形成的具有相同晶体取向的晶硅薄膜，通过退火处理使脆化层断裂后再在晶硅薄膜上制备高粘附性的聚合物薄膜，并同时利用聚合物薄膜的高粘附性和退火后脆化层的弱连接性将晶硅薄膜从衬底处转移，使得原衬底可重复利用。通过本方法可以简便的获得高质量的单晶或多晶薄膜，并且对于衬底材料产生的损耗接近于零。

主权项

一种晶硅薄膜的转移制备方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤一：在单晶硅衬底上通过CVD外延工艺以及掺杂工艺制备高杂质浓度的脆化层；步骤二：在脆化层上面通过低温热丝化学气相沉积工艺制备具有完整晶格结构的晶硅薄膜；步骤三：通过对脆化层的退火处理使脆化层断裂，实现晶硅薄膜与衬底之间的弱连接；步骤四：在晶硅薄膜表面制备具有粘附性的聚合物薄膜；步骤五：基于聚合物薄膜的粘附性以及经退火处理后的脆化层的连接力弱化，将晶硅薄膜从单晶硅衬底转移到聚合物薄膜。