[发明专利]一种用于吸收太赫兹波的超薄金属膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510357232.7 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105048103A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 苟君;王军;顾德恩;蒋亚东;黎威志 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 杨保刚;晏辉 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于吸收太赫兹波的超薄金属膜的制备方法，通过对表面易氧化的金属薄膜进行氧化形成氧化层，刻蚀去除氧化层，反复进行氧化和刻蚀，最终得到需要厚度的超薄金属膜。该方法可以获得磁控溅射法无法直接制备的超薄金属膜，具有薄膜厚度均匀、可控的特点，且制备工艺简单，与MEMS工艺兼容。该方法制备的超薄金属膜还具有高比表面积、低反射率的特点，用作太赫兹辐射吸收层可有效增强吸收性能和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 吸收 赫兹 超薄 金属膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于吸收太赫兹波的超薄金属膜的制备方法，其特征在于，该方法通过对表面易氧化的金属薄膜进行氧化形成氧化层，刻蚀去除氧化层，反复进行氧化和刻蚀，最终得到需要厚度的超薄金属膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510357232.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电池、电池模块以及车辆
- 下一篇：一种数字输入方法及数字输入控件
