[发明专利]晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201510358142.X | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105261560B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 中村胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供晶片的加工方法，能够沿划分器件的分割预定线可靠地分割在基板的正面层叠有低介电常数绝缘体覆盖膜(Low‑k膜)等功能层的晶片。晶片的层叠在基板的正面上的功能层被形成为格子状的多条分割预定线划分，在通过该多条分割预定线而划分的多个区域中形成有器件，该晶片的加工方法包含：激光加工槽形成工序，对分割预定线沿着宽度方向中央的两侧照射对于功能层具有吸收性的波长的激光光线而形成至少2条激光加工槽从而沿着分割预定线割断功能层；以及改质层形成工序，从晶片的背面侧沿着分割预定线照射对于基板具有透过性的波长的激光光线，在基板的内部沿着分割预定线形成作为断裂起点的改质层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的加工方法，所述晶片是如下的晶片：层叠在基板的正面上的功能层被形成为格子状的多条分割预定线划分，在通过该多条分割预定线而划分的多个区域中形成有器件，其特征在于，该晶片的加工方法包含：激光加工槽形成工序，对分割预定线沿着宽度方向中央的两侧照射对于功能层具有吸收性的波长的激光光线而形成至少2条激光加工槽，从而沿着分割预定线割断功能层；以及改质层形成工序，从晶片的背面侧沿着分割预定线照射对于基板具有透过性的波长的激光光线，在基板的内部沿着分割预定线形成作为断裂起点的改质层，从而从改质层形成在割断功能层而形成的2条激光加工槽之间的范围内成长且在从分割预定线偏离的区域中不成长的裂纹。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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