[发明专利]微机械传感器装置有效
| 申请号： | 201510363068.0 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN105217562B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | J·克拉森 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00;G01D5/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种微机械传感器装置(300)，其具有：‑MEMS元件(100)；‑ASIC元件(200)，其中，在所述MEMS元件(100)和所述ASIC元件(200)之间构造键合结构(70)，所述MEMS元件(100)具有：‑具有交替重叠布置的隔离层(11，12)和功能层(10，20，30)的层布置，其中，在功能层(10、20、30)的至少一个中构造可在检测方向(z)上移动的检测元件(22)；‑其中，借助另一功能层(40)构造用于构造MEMS元件(100)和ASIC元件(200)之间的所限定的间距的间距元件；其特征在于，在所述检测元件(22)上布置具有所述间距元件和第一键合层(50)的止挡元件(40，50)，其中，在所述止挡元件(40，50)的止挡区域中在所述ASIC元件(200)上布置隔离层(IMD5)。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 传感器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种微机械传感器装置(300)，其具有：MEMS元件(100)；ASIC元件(200)，其中，在所述MEMS元件(100)和所述ASIC元件(200)之间构造键合结构(70)，所述MEMS元件(100)具有：具有交替重叠布置的隔离层(11，21)和功能层(10，20，30)的层布置，其中，在所述功能层(10，20，30)的至少一个中构造有能够在检测方向(z)上移动的检测元件(22)；其中，借助另一功能层(40)构造间距元件，所述间距元件用于构造所述MEMS元件(100)和所述ASIC元件(200)之间的所限定的间距；其特征在于，在所述检测元件(22)上布置具有所述间距元件和第一键合层(50)的止挡元件，其中，在所述止挡元件的止挡区域中在所述ASIC元件(200)上布置隔离层(IMD5)，其中，在所述第一键合层(50)和所述ASIC元件(200)的隔离层(IMD5)之间的残留缝隙(61)小于第二功能层(20)和第三功能层(30)之间的缝隙(23)。
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