[发明专利]过压保护部件

摘要

本发明涉及过压保护部件。一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。

主权项

1.一种集成电路，包括：垂直肖克利二极管，所述垂直肖克利二极管从顶部至底部包括：－第一导电类型的第一区域，－第二导电类型的衬底，以及－所述第一导电类型的第二区域，所述第二区域具有形成在其中的所述第二导电类型的第三区域，以及第一垂直晶体管，所述第一垂直晶体管从顶部至底部包括：－所述衬底的一部分，该部分由垂直壁与所述垂直肖克利二极管分离，－所述第二区域的一部分，－第四区域，所述第四区域与形成在所述第二区域的一部分中的第三区域的导电类型相同，其中所述第四区域和所述第三区域是分离的区域，所述第四区域和所述第三区域通过第二区域的一部分彼此分开，以及其中所述第三区域连接至所述第四区域。