[发明专利]薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201510364377.X | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104882489B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘晓娣;孔祥永 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，该薄膜晶体管的源极和漏极不易被氧化，导电性能稳定。一种薄膜晶体管，包括：源漏金属层图案，还包括：位于所述源漏金属层图案之上的金属保护层图案，所述金属保护层图案与所述源漏金属层图案相接触、位于所述源漏金属层图案所在区域内，且所述金属保护层图案的材料的金属活泼性大于所述源漏金属层图案的材料的金属活泼性。本发明适用于薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的阵列基板和显示装置的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 图案 源漏金属层 金属保护层 显示装置 阵列基板 制作 金属活泼性 导电性能 所在区域 漏极 源极 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：源漏金属层图案，其特征在于，还包括：位于所述源漏金属层图案之上的金属保护层图案，所述金属保护层图案与所述源漏金属层图案相接触、位于所述源漏金属层图案所在区域内，且所述金属保护层图案的材料的金属活泼性大于所述源漏金属层图案的材料的金属活泼性；所述源漏金属层图案的材料为铜或铜合金，所述金属保护层图案的材料为铝；所述金属保护层图案的边界与所述源漏金属层图案的边界重合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510364377.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
