[发明专利]一种异质结光电极的制备方法和用途

摘要

本发明属于光电化学技术领域，特指一种异质结光电极的制备方法和用途，首先在FTO基片上合成双层TiO2纳米棒阵列，然后利用旋凃法在其之上均匀的旋涂一层氧化还原石墨烯，最后再使用化学沉积和光沉积的方法在氧化还原石墨/TiO2表面负载CdS@Au核‑壳结构纳米粒子。利用简单的水热合成法，旋涂法，化学沉积法和光沉积法所制备的Au@CdS/RGO/TiO2异质结光电极，该材料具有良好的化学稳定性好，光电化学性能好的优点；本发明工艺简单，重复性好，且所用材料价廉易得，符合环境友好要求。

主权项

一种异质结光电极的制备方法，其特征在于：所述异质结光电极为Au@CdS/RGO/TiO2异质结光电极，首先在FTO基片上制备出双层TiO2纳米棒阵列，继而利用旋凃法在其之上均匀的旋涂一层氧化石墨烯，紧接着将其在氮气保护下煅烧形成RGO/TiO2，然后通过化学沉积在RGO/TiO2的表面均匀的沉积一层Au纳米粒子形成Au/RGO/TiO2，最后，再采用光沉积的方法合成CdS纳米粒子包裹在Au纳米粒子的周围最终形成Au@CdS/RGO/TiO2异质结光电极。