[发明专利]基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510365453.9 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105158791B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 黄健;张磊;杨瑾;陈梦斐;张淑玮;任兵;王宇彤;胡艳;王林军 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G01T3/06 | 分类号： | G01T3/06 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 上海市宝山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 zno 薄膜 集成 中子 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器，其特征在于：采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层(4)将中子转化成α粒子，使α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用与中子转化层(4)通过欧姆接触方式集成在一起的ZnO薄膜光导型紫外探测器(1)探测紫外线，形成中子探测器件的固态结构，在中子转化层(4)中，B和Ga的掺杂量分别为ZnO闪烁体薄膜复合材料重量百分比的10～50％和1～10％。
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