[发明专利]一种防止硅表面金属污染的方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种防止硅表面金属污染的方法，其主要包括在硬掩模层和硅衬底之间增加一层隔离层制备工艺，后续再依次去除硬掩模层和隔离层后进行第二硅层的生长；该方法由于在去除硬掩模层时隔离层覆盖在第一硅层的上表面，进而可以有效保护第一硅层免受H3PO4溶液中金属元素的污染；另外暴露在H3PO4溶液中的隔离层即使受到污染，在后续制程中也会被去除，进而为后续第二硅层的生长提供了良好环境，因此该技术方案可以有效的防止H3PO4对硅表面的金属污染，具有避免第二硅层异常生长、增强工艺流程的可控性、提高产品质量和良率等有益效果。

主权项

1.一种防止硅表面金属污染的方法，其特征在于，应用于存储器件的双层多晶硅堆栈结构的制备工艺中，所述方法包括：提供一硅衬底；于所述硅衬底的上表面按照由下至上的顺序依次制备隔离层和硬掩模层；以所述硬掩模层为掩膜对所述硅衬底进行刻蚀工艺，以形成第一硅层；采用湿法工艺去除所述硬掩模层后，去除所述隔离层；于所述第一硅层之上生长第二硅层；基于所述第一硅层和所述第二硅层制备所述双层多晶硅堆栈结构；采用H3PO4、HF和SC1混合溶液的湿法工艺去除所述硬掩模层；所述SC1由H2O2和HCl混合组成。