[发明专利]AMOLED显示器件的制作方法及其结构在审
| 申请号： | 201510366825.X | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104952791A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 徐向阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种AMOLED显示器件的制作方法及其结构。该AMOLED显示器件的制作方法通过在制作栅极(3)之前沉积一层无机膜，并进行等离子轰击处理，形成栅极防反层(2)，以及在制作源/漏极(71)与数据线(72)之前沉积一层无机膜，并进行等离子轰击处理，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)，能够使得AMOLED显示器件具有良好的防止外部环境光反射的作用，提高AMOLED显示器件的显示亮度，延长AMOLED显示器件的使用寿命，降低AMOLED显示器件的厚度和制作成本。该AMOLED显示器件结构，通过设置栅极金属防反层(2)与蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)，具有良好的防止外部环境光反射的作用，具有较高的显示亮度与使用寿命，厚度较小、制作成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | amoled 显示 器件 制作方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种AMOLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括：在制作栅极(3)之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成栅极防反层(2)的步骤；以及在制作源/漏极(71)与数据线(72)之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
