[发明专利]控制CIGS薄膜中钠含量的方法、太阳能电池及结构在审
申请号: | 201510366844.2 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN104993018A | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 田晶;詹姆斯·黄;徐希翔;李建清;何静婧;王溢欢 | 申请(专利权)人: | 福建铂阳精工设备有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0749 |
代理公司: | 北京市清华源律师事务所 11441 | 代理人: | 沈泳;李赞坚 |
地址: | 362000 福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本申请提供了一种控制CIGS薄膜中钠含量的方法,首先在含钠元素的衬底上形成钠离子阻挡层,阻挡所述衬底中的钠离子扩散到所述CIGS薄膜中;然后在所述钠离子阻挡层上形成可控钠源层,通过控制所述可控钠源层的厚度为所述CIGS薄膜提供含量可控的钠离子。通过本方法,一方面将衬底中的不可控的钠离子进行隔离,阻挡其扩散入CIGS薄膜中,同时提供一可控钠源层,通过可控钠源层中钠离子的扩散精确控制所述CIGS薄膜中钠离子的含量,从而促进CIGS晶粒的生长,进而获得高效的CIGS薄膜太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 控制 cigs 薄膜 含量 方法 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】:
一种控制CIGS薄膜中钠含量的方法,其特征在于,包括:在含钠元素的衬底上形成钠离子阻挡层,阻挡所述衬底中的钠离子扩散到所述CIGS薄膜中;在所述钠离子阻挡层上形成可控钠源层,通过控制所述可控钠源层的厚度为所述CIGS薄膜提供含量可控的钠离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的