[发明专利]半导体覆盖用玻璃和使用该玻璃形成的半导体覆盖用材料

摘要

本发明的目的在于，提供一种环境负荷小且半导体表面覆盖后的表面电荷密度大的半导体覆盖用玻璃。本发明的半导体覆盖用玻璃的特征在于，为下述(1)或(2)中的任一种。下述(2)的半导体覆盖用玻璃，环境负荷小且半导体表面覆盖后的表面电荷密度大，且化学耐久性优异。(1)以质量％计，含有ZnO 50～65％、B₂O₃ 19～28％、SiO₂ 7～15％、Al₂O₃ 3～12％、Bi₂O₃ 0.1～5％的组成，实质上不含铅成分的半导体覆盖用玻璃；(2)以质量％计，含有ZnO 40～60％、B₂O₃ 5～25％、SiO₂ 15～35％、Al₂O₃ 3～12％的组成，实质上不含铅成分的半导体覆盖用玻璃。

主权项

一种半导体覆盖用玻璃，其特征在于，以质量％计，含有ZnO40～60％、B₂O₃5～25％、SiO₂20～35％、Al₂O₃3～12％、MnO₂0.1～5％的组成，且实质上不含铅成分。