[发明专利]基于高压LED芯片的隔离结构及隔离方法

摘要

本发明公开了一种基于高压LED芯片的隔离结构及隔离方法，隔离结构包括衬底及若干位于衬底上的高压LED外延结构，隔离结构上定义有第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，第二刻蚀区域环绕于第一刻蚀区域外围，第一刻蚀区域内包括若干第一切割道和第一隔离道，第一隔离道的刻蚀至衬底，第一切割道的刻蚀深度小于第一隔离道的刻蚀深度，第二刻蚀区域为深刻蚀区域。本发明大大提高了第一刻蚀区域内的高压LED芯片良品率，而由于第一刻蚀区域的面积远远大于第二刻蚀区域的面积，因此能够有效提高高压LED芯片的良品率，提高了隔离的效益。

主权项

一种基于高压LED芯片的隔离结构，所述隔离结构包括衬底及若干位于衬底上的高压LED外延结构，所述高压LED外延结构包括通过串联电极串联的第一LED外延结构和第二LED外延结构，相邻所述高压LED外延结构之间定义有切割道，每个高压LED外延结构中的第一LED外延结构和第二LED外延结构之间定义有隔离道，其特征在于，所述隔离结构上定义有第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，所述第二刻蚀区域环绕于第一刻蚀区域外围，所述第一刻蚀区域内包括若干第一切割道和第一隔离道，所述第一隔离道的刻蚀至衬底，第一切割道的刻蚀深度小于第一隔离道的刻蚀深度，第二刻蚀区域内包括若干第二切割道和第二隔离道，第二切割道和第二隔离道均刻蚀至衬底。