[发明专利]一种高电源抑制比的带隙基准电压源有效
| 申请号： | 201510367463.6 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104932601B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 贺小勇;吴青华;何俊良;李梦诗;蔡敏 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电源抑制比的带隙基准电压源，包括带隙基准核心电路、前置稳压电路、参考电压转换电路、电源分压电路和启动电路。启动电路在上电后为带隙基准核心电路中的运算放大器提供初始偏置电流；电源分压电路通过对电源电压进行分压产生出所需的不同的电源分压；前置稳压电路为带隙基准核心提供预调节电压；参考电压转换电路通过判断带隙基准核心电路的输出状态选择带隙基准核心电路输出或者电源分压作为前置稳压电路的参考电压；带隙基准核心电路输出带隙基准电压。本发明具有能提高带隙基准电压源的电源抑制比等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电源 抑制 基准 电压 | ||
【主权项】：
一种高电源抑制比的带隙基准电压源，其特征在于，包括：带隙基准核心电路、前置稳压电路、转换电路、电压比较电路和启动电路；启动电路的输出端与带隙基准核心电路中的运算放大器的偏置支路相连，启动电路在上电时为带隙基准核心电路提供偏置电流；前置稳压电路的输出端与带隙基准核心电路的供电输入端相连，前置稳压电路为带隙基准核心电路提供预调节电压(VDDL)供电；电压比较电路的比较电压输入端与隙基准核心电路的输出端(VBG)相连，电压比较电路的输出端与转换电路的输入端相连，转换电路的输出端与前置稳压电路的输出控制端相连，电压比较电路通过将带隙基准核心电路的输出与参考电压比较后控制转换电路选择前置稳压电路输出的预调节电压或电源电压VDD为带隙基准核心电路供电；带隙基准核心电路的输出端输出带隙基准电压；所述的转换电路包括第二十八PMOS管(P41)；所述的第二十八PMOS管(P41)的栅极接第二十五PMOS管(P33)的漏极，第二十八PMOS管(P41)的漏极接地，第二十八PMOS管(P41)的源极接第十六PMOS管(P204)的栅极。
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