[发明专利]一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极

摘要

本发明公开了一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极，包括聚酰亚胺衬底、应力缓冲复合层、双层厚Mo薄膜阻挡层，所述应力缓冲复合层形成在聚酰亚胺衬底上，所述双层厚Mo薄膜阻挡层形成在应力缓冲复合层上，所述应力缓冲复合层由Mo超薄层和Ag超薄层重复沉积形成，所述Mo超薄层和Ag超薄层的厚度范围均为1～5nm，所述重复沉积次数范围为20至50次，双层厚Mo薄膜阻挡层包括第一Mo薄膜和第二Mo薄膜，厚度分别为100～200nm和600～700nm。本发明的背电极通过Mo超薄层和Ag超薄层的重复沉积形成的应力缓冲复合层，有效地降低铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极与聚酰亚胺衬底之间应力，从而防止太阳能电池异常卷曲或者薄膜脱落。

主权项

一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极，包括聚酰亚胺衬底(1)、应力缓冲复合层(3)、双层厚Mo薄膜阻挡层，其特征在于，所述应力缓冲复合层(3)形成在聚酰亚胺衬底(1)上，所述双层厚Mo薄膜阻挡层形成在应力缓冲复合层(3)上，所述应力缓冲复合层(3)由Mo超薄层和Ag超薄层重复沉积形成，所述Mo超薄层和Ag超薄层的厚度范围均为1～5nm，所述重复沉积次数范围为20至50次，双层厚Mo薄膜阻挡层包括第一Mo薄膜(4)和第二Mo薄膜(5)，厚度分别为100～200nm和600～700nm。