[发明专利]制造蓝宝石基底的方法及制造第III族氮化物半导体发光器件的方法

摘要

本发明提供了一种制造能够形成合适形状的抗蚀剂和具有高精度的精细浮凸结构的蓝宝石基底的方法，以及制造第III族氮化物半导体发光器件的方法。制造蓝宝石基底的方法包括形成第一抗蚀剂图案，形成第二抗蚀剂图案，以及蚀刻蓝宝石晶片的步骤。形成第二抗蚀剂图案的步骤包括：在第一阶段期间，通过向第一抗蚀剂图案提供Cl₂气蚀刻抗蚀剂的第一步骤；在第二阶段期间，向通过第一阶段的蚀刻而获得的中间抗蚀剂图案辐照被制成等离子体的稀有气体的步骤；以及在第三阶段期间，通过提供Cl₂并且对中间抗蚀剂图案进行蚀刻来形成抗蚀剂的第二步骤。

主权项

一种制造蓝宝石基底的方法，所述方法包括如下步骤：通过光刻在蓝宝石晶片的第一表面上形成第一抗蚀剂图案；通过蚀刻所述第一抗蚀剂图案来形成第二抗蚀剂图案；以所述第二抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻所述蓝宝石晶片的所述第一表面；并且形成所述第二抗蚀剂图案包括：在第一阶段期间，通过向所述第一抗蚀剂图案提供氯基气体来蚀刻所述第一抗蚀剂图案；在第二阶段期间，向通过蚀刻所述第一抗蚀剂图案获得的中间抗蚀剂图案辐照被制成等离子体的稀有气体；以及在第三阶段期间，通过提供氯基气体并且对所述中间抗蚀剂图案进行蚀刻来形成所述第二抗蚀剂图案。