[发明专利]表面覆盖TiN‑纳米TiO2膜的电子装置壳体及其加工方法有效
| 申请号： | 201510369913.5 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105177516B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 鲍必辉 | 申请（专利权）人： | 温州市科泓机器人科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/02;H05K5/02 |
| 代理公司： | 温州瓯越专利代理有限公司33211 | 代理人： | 姜飞 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市龙湾区高新技术产*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了表面覆盖TiN‑纳米TiO2膜的电子装置壳体及其加工方法，借助磁控溅射，通过调节工艺参数先在陶瓷基体（101）上涂覆TiN薄膜预置层（102），再在TiN预置层（102）上涂覆纳米TiO2膜（103），薄膜均匀。有效解决电子装置外壳容易积灰、受污的问题，使得电子装置壳体具有易清洁和自清洁的特性，提高产品竞争力；而且，加工过程中靶料利用率高，安全环保。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 覆盖 tin 纳米 tio sub 电子 装置 壳体 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
表面覆盖TiN‑纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100：对陶瓷基体（101）进行表面处理；步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体（101）稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体（101）输送至安装有金属钛靶的真空室；步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3× 10‑4—5× 10‑4Pa，通入氩气和氮气的混合气体；步骤S400：在功率为50‑200W，偏压120‑160V，靶距30‑40mm，陶瓷基体（101）温度30‑300℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20‑60min；步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5× 10‑4—8× 10‑4Pa，通入氩气和氧气的混合气体；步骤S600：在功率为3000‑4000W，无偏压，靶距30‑40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40‑400min。
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