[发明专利]具有垂直沟道的半导体集成电路器件及其制造方法

摘要

提供一种具有垂直沟道的半导体集成电路器件及其制造方法。在半导体衬底中形成多个有源线。在有源线的侧壁上形成比每个有源线具有更低高度的栅电极。在有源线之间掩埋第一绝缘层，所述第一绝缘层具有比有源线的高度更低且比栅电极的高度更高的的高度，以及在有源线的侧表面和暴露上表面上形成硅化物层。

主权项

1.一种制造半导体集成电路器件的方法，所述方法包括：/n在半导体衬底之上形成有源线；/n在所述有源线的下侧壁之上形成栅电极；/n在所述有源线与相邻的有源线之间形成第一绝缘层以掩埋所述栅电极，其中所述有源线的上部暴露于所述第一绝缘层之上；/n在所述有源线的上部中形成漏极区，以及形成从所述有源线下面的半导体衬底延伸到所述相邻的有源线下面的半导体衬底的公共源极区；以及/n在对应于所述漏极区的所述有源线的上部的上表面和侧壁之上形成硅化物层。/n