[发明专利]具有穿通通孔和金属层的电连接的半导体装置及层叠方法

摘要

一种半导体装置可以包括第一金属层，所述第一金属层包括第一单元焊盘。所述半导体装置可以第二金属层，所述第二金属层包括第一和第二单元焊盘。所述半导体装置可以包括第一穿通通孔，所述第一穿通通孔将第一金属层的第一焊盘耦合至第一凸块；以及第二穿通通孔，所述第二穿通通孔将第二金属层的第一单元焊盘耦合至第二凸块。第二金属层的第二单元焊盘可以布置在第二金属层的第一单元焊盘的第一方向，以及可以电耦合至第二金属层的第一单元焊盘。

主权项

1.一种半导体装置，包括：第一层叠芯片，包括：包括第一单元焊盘的第一金属层和包括第一单元焊盘和第二单元焊盘的第二金属层；以及第二层叠芯片，包括：包括第一单元焊盘的第一金属层和包括第一单元焊盘和第二单元焊盘的第二金属层，其中所述第一层叠芯片的第二金属层的第二单元焊盘布置在从所述第一层叠芯片的第二金属层的第一单元焊盘起的第一方向，且电耦合至所述第一层叠芯片的第二金属层的第一单元焊盘，其中所述第二层叠芯片的第二金属层的第二单元焊盘布置在从所述第二层叠芯片的第二金属层的第一单元焊盘起的第一方向，且电耦合至所述第二层叠芯片的第二金属层的第一单元焊盘，以及其中所述第二层叠芯片层叠于所述第一层叠芯片之上，且被配置为从所述第一层叠芯片的布置起沿所述第一方向移动与所述第一单元焊盘的长度相对应的预定距离，其中所述第一层叠芯片还包括：第一穿通通孔，其穿透所述第一层叠芯片而形成，且耦合至所述第一层叠芯片的第一金属层的第一单元焊盘；以及第二穿通通孔，其穿透所述第一层叠芯片而形成，且耦合至所述第一层叠芯片的第二金属层的第一单元焊盘，以及所述第一层叠芯片的第一穿通通孔与所述第二层叠芯片电断开。