[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置包括在同一衬底上的驱动电路部和显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部分别包括：半导体层由氧化物半导体构成的薄膜晶体管；第一布线；以及第二布线，其中薄膜晶体管包括源电极层或漏电极层及接触于半导体层的氧化物导电层，驱动电路部的薄膜晶体管以以栅电极层和导电层夹着半导体层的方式构成，并且第一布线和第二布线在设置在栅极绝缘膜中的开口中通过氧化物导电层电连接。

主权项

1.一种半导体装置，包括：包括晶体管的驱动电路部；以及包括电容器的像素部，其中，所述晶体管包括：第一电极层；所述第一电极层上的第一绝缘层；所述第一绝缘层上的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的第二电极层和第三电极层；所述第二电极层、所述第三电极层和所述氧化物半导体层上且与所述第二电极层、所述第三电极层和所述氧化物半导体层接触的第二绝缘层；以及所述第二绝缘层上的透明导电层，其中，所述电容器包括：第一电极、所述第一电极上的第二电极以及所述第一电极与所述第二电极之间的电介质，其中，所述第二电极是与所述透明导电层相同的材料，并且其中，所述氧化物半导体层的晶化率为80％以上。