[发明专利]一种具有连通型存储层的高压IGBT及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有连通型存储层的高压IGBT，在n‑硅衬底的上方中间沟槽内和两侧的平面部分有栅氧化层，栅氧化层上方设有T型的多晶硅层，称为沟槽‑平面栅极G；沟槽‑平面栅极G两侧n‑型硅衬底上各设有一个p基区，每个p基区内设有n+发射区，n+发射区上表面与p基区短路构成发射极E；在整个有源区内n‑漂移区上方与p基区相接处，设有连通的n存储层；在n‑漂移区下方依次设有n场阻止层、p+集电区、集电极C。本发明还公开了上述的具有连通型存储层的高压IGBT制造方法。本发明的高压IGBT结构，大幅度降低器件导通时的饱和电压，阻断电压高、导通损耗极低、闩锁电流密度较高、饱和电流密度较低。

主权项

一种具有连通型存储层的高压IGBT，其特征在于：包括作为n‑漂移区的n‑硅衬底，在n‑硅衬底的上方中间开有沟槽，在沟槽内和两侧的平面部分有厚度相同的栅氧化层，在栅氧化层上方设置有一个T型的多晶硅层，称为沟槽‑平面栅极G；在沟槽‑平面栅极G两侧的n‑硅衬底上各设置有一个p基区，并通过栅氧化层与平面栅极隔离，每个p基区内设置有n+发射区，在n+发射区上表面与p基区短路构成发射极E；在整个有源区内的n‑漂移区上方与p基区相接处，设置有连通的n存储层；在n‑漂移区下方设置有n场阻止层，在n场阻止层下方设置有p+集电区，在p+集电区下方设置有集电极C；所述沟槽的形状为矩形槽，底部拐角处光滑，沟槽深度小于p基区的深度，沟槽宽度小于p基区之间的间距，并且p基区上表面内边沿与所在一侧沟槽侧壁形成的台面宽度为1～2μm；所述n存储层的浓度为1×1015cm‑3～5×1015cm‑3，n存储层的厚度为2～3μm。