[发明专利]快闪存储器晶片测试方法以及中测台有效
| 申请号： | 201510375258.4 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106328212B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡耀庭;吴怡德;连世璋 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快闪存储器晶片测试方法以及中测台。所述方法包括：对一快闪存储器晶片上的多个快闪存储器芯片施行控制信号线耐受度模拟，是对该等快闪存储器芯片的字线、或位线、或字线与位线两者进行耐受度模拟；以N次回圈反复程序化以及抹除该多个快闪存储器芯片；以及在施行上述控制信号线耐受度模拟之后、以及N次回圈反复程序化以及抹除该等快闪存储器芯片之前，更对该等快闪存储器芯片作回烤修复。通过本发明，可以加速不良芯片的筛除。 | ||
| 搜索关键词： | 快闪存储器芯片 快闪存储器晶片 耐受度 控制信号线 程序化 次回圈 抹除 位线 字线 测试 不良芯片 台本发明 修复 | ||
【主权项】：
1.一种快闪存储器晶片测试方法，其特征在于，所述的快闪存储器晶片测试方法包括：对一快闪存储器晶片上的多个快闪存储器芯片施行控制信号线耐受度模拟，是对所述多个快闪存储器芯片的字线、或位线、或字线与位线两者进行耐受度模拟；以N次回圈反复程序化以及抹除所述多个快闪存储器芯片；以及在施行所述控制信号线耐受度模拟之后、以及N次回圈反复程序化以及抹除所述多个快闪存储器芯片之前，更对所述多个快闪存储器芯片作回烤修复。
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