[发明专利]一种纳米压痕法测定无残余应力薄膜的方法在审
| 申请号： | 201510375356.8 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105043869A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 苏建丽 | 申请（专利权）人： | 青岛文创科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N3/08 | 分类号： | G01N3/08 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 钟廷良 |
| 地址： | 266061 山东省青岛市崂山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米压痕法测定无残余应力薄膜的方法，属于薄膜测试方法的技术领域。本发明的纳米压痕测试无残余应力薄膜的步骤为：将制备得到无应力试样薄膜与没有去除基底的薄膜试样进行纳米压痕试验，得到薄膜试样的压痕数据，再利用Suresh理论模型进行计算。本发明的无残余应力是通过物理气相沉积或化学气相沉积将薄膜溅射或沉积在单晶晶体上，然后去除晶体而得到。本发明获得的无残余应力的试样薄膜与基底结合的界面应力完全去除，且纳米压痕试验过程中，薄膜能够无底面支撑，以避免底面对测量结果产生影响。该无残余应力的薄膜大大提高了纳米压痕测试法Suresh理论模型的适应性和实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 压痕 测定 残余 应力 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米压痕法测定无残余应力薄膜的方法，其特征在于：将制备获得的无应力试样薄膜与没有去除基底的薄膜试样进行纳米压痕试验，得到薄膜试样的压痕数据，再利用Suresh理论模型进行计算。
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