[发明专利]金属氧化物金属电容器制作方法

摘要

一种金属氧化物金属电容器制作方法，包括：形成第一层低K介质层；对第一层低K介质层进行光刻刻蚀工艺以便在第一层低K介质层中形成第一电容区沟槽；在第一电容区沟槽中填充金属铜以形成第一层金属铜；在第一层低K介质层上沉积第一刻蚀阻挡层和第二层低K介质层；对第二层低K介质层进行光刻刻蚀工艺以便在第二层低K介质层中形成用于MIM电容区域的第二电容区沟槽；在电容区沟槽中填充高K材料；在第二层低K介质层上沉积第二刻蚀阻挡层和第三层低K介质层；在对第三层低K介质层进行第三光刻刻蚀工艺以便在第三层低K介质层中形成用于MIM电容区域的第三电容区沟槽；在第三电容区沟槽中填充金属铜以形成第二层金属铜。

主权项

1.一种金属氧化物金属电容器制作方法，其特征在于包括：第一步骤：形成第一层低K介质层；第二步骤：对所述第一层低K介质层进行第一光刻刻蚀工艺以便在所述第一层低K介质层中形成第一电容区沟槽；第三步骤：在所述第一电容区沟槽中填充金属铜以形成第一层金属铜；第四步骤：在所述第一层低K介质层上沉积第一刻蚀阻挡层，并且在所述第一刻蚀阻挡层上沉积低K材料作为第二层低K介质层；第五步骤：对所述第二层低K介质层进行第二光刻刻蚀工艺以便在所述第二层低K介质层中形成用于MIM电容区域的第二电容区沟槽，并且使得第二光刻刻蚀工艺终止在第一刻蚀阻挡层上；第六步骤：在所述电容区沟槽中填充高K材料作为MIM电容的介质层；第七步骤：在第二层低K介质层上沉积第二刻蚀阻挡层，并且在所述第二刻蚀阻挡层上沉积低K材料作为第三层低K介质层；第八步骤：在对所述第三层低K介质层进行第三光刻刻蚀工艺以便在所述第三层低K介质层中形成用于MIM电容区域的第三电容区沟槽，并且使得第三光刻刻蚀工艺终止在所述第二刻蚀阻挡层上；第九步骤：在所述第三电容区沟槽中填充金属铜以形成第二层金属铜。