[发明专利]制造电路载体和连接电导体与电路载体的金属化层的方法有效
申请号: | 201510375933.3 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN105244293B | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | M.埃瑟特;M.诺曼;T.诺伊贝尔;G.施特罗特曼 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H05K1/00;H05K3/32;C04B41/88 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 卢江;徐红燕 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及制造电路载体和连接电导体与电路载体的金属化层的方法。本发明的一个方面涉及用于制造电路载体(10)的方法。对此,提供电绝缘载体(1),所述载体具有上侧(1t),以及与上侧(1t)相对的下侧(2t)。同样提供第一金属薄膜(21)和硬化材料(20)。于是,制造在上侧(1t)上布置的上部的金属化层(2),所述上部的金属化层具有硬化地带(25)。在此,硬化地带(25)的至少一个连续的区段(250)通过硬化材料(20)的至少一部分扩散到第一金属薄膜(21)中产生。 | ||
搜索关键词: | 制造 电路 载体 连接 导体 金属化 方法 | ||
【主权项】:
1.用于制造电路载体(10)的方法,具有如下步骤:提供电绝缘的载体(1),所述载体具有上侧(1t),以及与所述上侧(1t)相对的下侧(1b);在所述上侧(1t)上提供第一金属薄膜(21);在所述第一金属薄膜(21)上提供第二金属薄膜(22);在所述第一金属薄膜(21)与所述第二金属薄膜(22)之间提供硬化材料(20);制造在所述上侧(1t)上布置的且具有硬化地带(25)的上部的金属化层(2),其中所述硬化地带(25)的至少一个连续的区段(250)通过所述硬化材料(20)的至少一部分扩散到所述第一金属薄膜(21)中并且所述硬化材料(20)的至少另一部分扩散到所述第二金属薄膜(22)中的方式产生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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