[发明专利]制造电路载体和连接电导体与电路载体的金属化层的方法有效

专利信息
申请号: 201510375933.3 申请日: 2015-07-01
公开(公告)号: CN105244293B 公开(公告)日: 2018-12-25
发明(设计)人: M.埃瑟特;M.诺曼;T.诺伊贝尔;G.施特罗特曼 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/58 分类号: H01L21/58;H05K1/00;H05K3/32;C04B41/88
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 卢江;徐红燕
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及制造电路载体和连接电导体与电路载体的金属化层的方法。本发明的一个方面涉及用于制造电路载体(10)的方法。对此,提供电绝缘载体(1),所述载体具有上侧(1t),以及与上侧(1t)相对的下侧(2t)。同样提供第一金属薄膜(21)和硬化材料(20)。于是,制造在上侧(1t)上布置的上部的金属化层(2),所述上部的金属化层具有硬化地带(25)。在此,硬化地带(25)的至少一个连续的区段(250)通过硬化材料(20)的至少一部分扩散到第一金属薄膜(21)中产生。
搜索关键词: 制造 电路 载体 连接 导体 金属化 方法
【主权项】:
1.用于制造电路载体(10)的方法,具有如下步骤:提供电绝缘的载体(1),所述载体具有上侧(1t),以及与所述上侧(1t)相对的下侧(1b);在所述上侧(1t)上提供第一金属薄膜(21);在所述第一金属薄膜(21)上提供第二金属薄膜(22);在所述第一金属薄膜(21)与所述第二金属薄膜(22)之间提供硬化材料(20);制造在所述上侧(1t)上布置的且具有硬化地带(25)的上部的金属化层(2),其中所述硬化地带(25)的至少一个连续的区段(250)通过所述硬化材料(20)的至少一部分扩散到所述第一金属薄膜(21)中并且所述硬化材料(20)的至少另一部分扩散到所述第二金属薄膜(22)中的方式产生。
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