[发明专利]一种直拉单晶的拉晶方法

摘要

本发明公开的一种直拉单晶的拉晶方法，包括装料、化料、杂质提出、稳定化处理、引晶、放肩以及收尾七个步骤组成。本发明的一种直拉单晶的拉晶方法解决了品质较差的多晶硅在直拉单晶时存在的单晶拉制成本较高以及成品率较低的问题。本发明的一种直拉单晶的拉晶方法通过对拉晶过程中步骤及参数的改变，实现了将含杂质多的品质较差多晶硅原料的分离提出，从而提高了拉晶后的晶体品质，并且提升了拉晶成品率，达到了提高生产效率、降低生产成本的目的。

主权项

1.一种直拉单晶的拉晶方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，装料：将多晶硅原料和复拉料混装在石英坩埚中，其中，装料时多晶硅原料和复拉料按重量比(2‑4)：1的比例进行装料，并且将复拉料放置在石英坩埚边缘位置，将多晶硅原料放置在石英坩埚的中间位置；第二步，化料：将复拉料和多晶硅原料熔化；具体包括以下步骤：第1步，化料开始时加热器以常规化料功率运行、石英坩埚转速为常规转速N转/min；第2步，从化料第2h开始，化料功率比常规化料功率增大10kW‑15kW，并且石英坩埚转速以10s、20s、30s、40s以及50s的时间间隔对应为N转/min、(N+1)转/min、(N+3)转/min、(N+5)转/min以及(N+7)转/min，并且维持在(N+7)转/min；第三步，杂质提出：在第二步的化料工序后期，降低主加热器功率至引晶功率、相对于常规化料工序中石英坩埚转速N转/min，增大坩埚转速为(N+8)转/min使液面表面快速结晶，采用旧籽晶将坩埚内未熔化的多晶硅原料提出，同时将石英坩埚转速降为(N+7)转/min；第四步，稳定化：在稳定化过程中将加热器功率调整为常规化料功率，石英坩埚转速调整为(N+2)转/min，氩气流量调整为拉晶氩气流量的50％‑70％，单晶炉腔体内压强为0.2kPa‑0.4kPa，稳定化持续时间为第二步化料时间的1/10‑1/6；第五步，引晶；第六步，放肩；第七步，收尾。