[发明专利]双面钝化太阳能电池的制作方法有效
申请号: | 201510377224.9 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN105047755B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 黄海深;袁占强;袁江芝;吴波;杨秀德;王鸿 | 申请(专利权)人: | 遵义师范学院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙)50217 | 代理人: | 黄书凯 |
地址: | 563099 贵州省遵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本专利公开了一种双面钝化太阳能电池的制作方法,包括以下步骤A、正面钝化 B、背面钝化和C、金属电极的制作。正面钝化主要包括1)采用PECVD将太阳能电池的正面沉积20~500nm厚度的N型α‑Si薄层;2)采用PECVD在所述N型α‑Si薄层的表面沉积1~10nm厚度的SiOx薄层;3)采用PECVD沉积70~120nm厚度的SiNx薄层;背面钝化主要包括1)采用PECVD沉积20~500nm厚度的P型α‑Si薄层;2)采用原子层沉积法在所述P型α‑Si薄层上沉积10~300nm厚度的Al2O3薄层;3)采用PECVD沉积30~120nm的SiNx薄层;与传统的钝化方法相比,本方案采用PECVD和原子层沉积法形成钝化层,不会破坏晶格结构,钝化效果更好。同时,背电极浆料和正电极浆料均具有良好的导电性能,具有适应更高的方阻的能力。 | ||
搜索关键词: | 双面 钝化 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】:
一种双面钝化太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:A、正面钝化1)采用PECVD将太阳能电池的正面沉积120nm厚度的N型α‑Si薄层;2)采用PECVD在所述N型α‑Si薄层的表面沉积4nm厚度的SiOx薄层;3)采用PECVD沉积85nm厚度的SiNx薄层;B、背面钝化1)采用PECVD沉积50nm厚度的P型α‑Si薄层;2)采用原子层沉积法在所述P型α‑Si薄层上沉积150nm厚度的Al2O3薄层;3)采用PECVD沉积80nm的SiNx薄层;C、金属电极的制作1)在太阳能电池的背面印刷穿透性背电极浆料,背电极浆料形成栅线图形的图案,然后烘干,所述背电极浆料为银浆或其他浆料;然后印刷背电场浆料,烘干,所述背电场浆料为铝浆;2)在太阳能电池的正面印刷正电极浆料,所述正电极浆料为正银浆料;3)进行烧结处理,烧结后,正电极浆料至少与N型α‑Si薄层接触,背电极浆料至少与P型α‑Si薄层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的