[发明专利]双面钝化太阳能电池的制作方法有效

专利信息
申请号: 201510377224.9 申请日: 2015-07-01
公开(公告)号: CN105047755B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 黄海深;袁占强;袁江芝;吴波;杨秀德;王鸿 申请(专利权)人: 遵义师范学院
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙)50217 代理人: 黄书凯
地址: 563099 贵州省遵*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 专利公开了一种双面钝化太阳能电池的制作方法,包括以下步骤A、正面钝化 B、背面钝化和C、金属电极的制作。正面钝化主要包括1)采用PECVD将太阳能电池的正面沉积20~500nm厚度的N型α‑Si薄层;2)采用PECVD在所述N型α‑Si薄层的表面沉积1~10nm厚度的SiOx薄层;3)采用PECVD沉积70~120nm厚度的SiNx薄层;背面钝化主要包括1)采用PECVD沉积20~500nm厚度的P型α‑Si薄层;2)采用原子层沉积法在所述P型α‑Si薄层上沉积10~300nm厚度的Al2O3薄层;3)采用PECVD沉积30~120nm的SiNx薄层;与传统的钝化方法相比,本方案采用PECVD和原子层沉积法形成钝化层,不会破坏晶格结构,钝化效果更好。同时,背电极浆料和正电极浆料均具有良好的导电性能,具有适应更高的方阻的能力。
搜索关键词: 双面 钝化 太阳能电池 制作方法
【主权项】:
一种双面钝化太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:A、正面钝化1)采用PECVD将太阳能电池的正面沉积120nm厚度的N型α‑Si薄层;2)采用PECVD在所述N型α‑Si薄层的表面沉积4nm厚度的SiOx薄层;3)采用PECVD沉积85nm厚度的SiNx薄层;B、背面钝化1)采用PECVD沉积50nm厚度的P型α‑Si薄层;2)采用原子层沉积法在所述P型α‑Si薄层上沉积150nm厚度的Al2O3薄层;3)采用PECVD沉积80nm的SiNx薄层;C、金属电极的制作1)在太阳能电池的背面印刷穿透性背电极浆料,背电极浆料形成栅线图形的图案,然后烘干,所述背电极浆料为银浆或其他浆料;然后印刷背电场浆料,烘干,所述背电场浆料为铝浆;2)在太阳能电池的正面印刷正电极浆料,所述正电极浆料为正银浆料;3)进行烧结处理,烧结后,正电极浆料至少与N型α‑Si薄层接触,背电极浆料至少与P型α‑Si薄层接触。
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