[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件及其制造方法。在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。

主权项

一种半导体器件，包括：以矩阵设置的多个像素，所述多个像素中的每一个包括：光电二极管；信号电荷累积部分；电荷累积控制晶体管，其中所述电荷累积控制晶体管的源极和漏极之一电连接至所述光电二极管且所述电荷累积控制晶体管的源极和漏极中的另一个电连接至所述信号电荷累积部分；其中实质上同时在所述多个像素中通过所述光电二极管执行电荷累积操作，且逐行执行对来自所述多个像素的每一个的信号的读取操作，以及其中在所述多个像素中的所述电荷累积控制晶体管的栅极电连接至彼此。