[发明专利]用在集成电路的电感组件,形成部分集成电路的变压器和电感器有效
申请号: | 201510377927.1 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN105244344B | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | J·库比克 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体集团 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L21/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王莉莉 |
地址: | 百慕大群岛(*** | 国省代码: | 百慕大群岛;BM |
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摘要: | 诸如变压器的电感组件可以通过包括磁芯得以改进。然而,如果磁芯进入磁饱和,具有磁芯的优势将丢失。避免饱和的一种方式是提供较大的磁芯,但这在集成电路的环境中是昂贵的。本发明人认识到,磁通密度随着集成电路中磁芯的位置而改变,使得部分磁芯比其他部分更早地饱和。这样降低磁芯的最终性能。本公开提供了延迟早期饱和开始的结构,使得变压器处理更大功率。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 电感 组件 形成 部分 变压器 电感器 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路中的用于传输功率的变压器,包括:所述变压器的磁芯;多个导体,设置在所述磁芯的第一侧;多个导体,设置在所述磁芯的第二侧,其中所述第一侧上的多个导体和所述第二侧上的多个导体互连以形成围绕所述磁芯的所述变压器的第一线圈和围绕所述磁芯的所述变压器的第二线圈,其中所述第一线圈和所述第二线圈是交错的;以及补偿结构,用于通过使所述变压器的所述第一线圈的饱和电流增加来补偿所述变压器的所述磁芯的磁芯饱和的非均匀性。
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