[发明专利]硅基低漏电流悬臂梁栅CMOS管倒相器及制备方法

摘要

本发明是一种硅基低漏电流悬臂梁栅CMOS管倒相器及制备方法，该倒相器由悬臂梁栅NMOS管和悬臂梁栅PMOS管构成。该倒相器的MOS管的制作在Si衬底上，其栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成悬臂梁栅。悬臂梁栅的下方设计有电极板，每个MOS管电极板与该MOS管的源极短接。而悬臂梁栅的下拉电压设计为等于MOS管的阈值电压的绝对值。当在悬臂梁栅极与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，悬臂梁栅是悬浮在栅氧化层的上方。只有在悬臂梁栅极与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时悬臂梁栅才会下拉到贴在栅氧化层上，从而使MOS管导通。本发明在工作中栅氧化层中的场强减小，所以减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗，提高了性能。

主权项

一种硅基低漏电流悬臂梁栅CMOS管倒相器，其特征是该倒相器由悬臂梁栅NMOS管（1）和悬臂梁栅PMOS管（2）构成，该倒相器中的MOS管是制作在P型Si衬底（3）上，其输入引线(4)是制作在衬底上的多晶硅，悬臂梁栅NMOS管的源极（10）接地，悬臂梁栅PMOS管的源极（11）接电源；悬臂梁栅NMOS管的漏极（14）与悬臂梁栅PMOS管的漏极（15）短接，在结构上，悬臂梁栅NMOS管和悬臂梁栅PMOS管的栅极不是直接附在栅氧化层(5)上，而是悬浮的，形成悬臂梁栅(6)，两个MOS管的悬臂梁栅（6）是短接的，悬臂梁栅(6)的两个锚区(7)则制作在栅氧化层(5)上，悬臂梁栅（6）下方设计有电极板（8），电极板（8）的上表面有栅氧化层（5）的覆盖，每个MOS管电极板（8）与该MOS管的源极短接。