[发明专利]氮化镓基低漏电流固支梁的RS触发器有效
| 申请号： | 201510378510.7 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104935295B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;褚晨蕾 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03K3/012 | 分类号： | H03K3/012;H03K3/356;H03K19/094 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的氮化镓基低漏电流固支梁的RS触发器制作在半绝缘型GaN衬底(1)上，由四个N型MESFET开关(11)和两个电阻R所构成，其中两个开关串联连接组成第一与非门(①)，另两个开关串联连接组成第二与非门(②)，其中第一与非门的输出端通过导线与第二与非门的一个输入端相接，同样第二与非门的输出端也通过导线与第一与非门的一个输入端相连接，形成完全对称的结构；RS触发器有两个外接信号输入端分别是第一输入端R和第二输入端S，以及两个输出端分别是第一输出端Q和第二输出端N型MESFET开关(11)具有悬浮的固支梁(4)，该固支梁(4)的两端固定在锚区(2)上，中间部分横跨在栅极(10)上方。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基低 漏电 流固支梁 rs 触发器 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基低漏电流固支梁的RS触发器，其特征在于该RS触发器制作在半绝缘型GaN衬底（1）上，由四个N型MESFET 开关（11）和两个电阻R所构成，该N型MESFET 开关（11）包括源极、漏极、栅极和沟道组成，其中两个N型MESFET 开关（11）串联连接组成第一与非门（①），另两个N型MESFET 开关（11）串联连接组成第二与非门（②），其中第一与非门（①）的输出端通过导线与第二与非门（②）的一个输入端相接，同样第二与非门（②）的输出端也通过导线与第一与非门（①）的一个输入端相连接，形成完全对称的结构；RS触发器有两个外接信号输入端分别是第一输入端R和第二输入端S，以及两个输出端分别是第一输出端Q和第二输出端；N型MESFET开关（11）具有悬浮的固支梁（4），该固支梁（4）的两端固定在锚区（2）上，中间部分横跨在栅极（10）上方，与栅极（10）之间有一间隙，固支梁（4）由Au材料制作的，在固支梁（4）下方还设有两个下拉电极（5），下拉电极（5）是接地的，下拉电极（5）上还覆盖有氮化硅介质层（6），这种结构可以大大减小栅极泄漏电流，从而降低器件的功耗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510378510.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
