[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅CMOS传输门及制备方法

摘要

本发明是一种硅基低漏电流固支梁栅CMOS传输门及制备方法，该传输门由固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管构成。该传输门的MOS管的制作在Si衬底上，其栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成固支梁结构。固支梁栅的下方设计有电极板。固支梁栅下拉电压设计为等于MOS管的阈值电压的绝对值。当在固支梁栅与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，固支梁栅是悬浮在栅氧化层的上方，而只有在固支梁栅与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，固支梁栅才会下拉到贴在栅氧化层上，此时若输入端与输出端的电平值不同，则MOS管导通。本发明在工作中栅氧化层中的场强减小，所以减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。

主权项

一种硅基低漏电流固支梁栅CMOS传输门，其特征是该传输门由固支梁栅NMOS管(1)和固支梁栅PMOS管(2)构成，固支梁栅NMOS管(1)和固支梁栅PMOS管(2)并联在一起，该传输门中的MOS管是制作在P型Si衬底(3)上，其引线(4)都是利用多晶硅制作，对于传输门中的MOS管，其栅极是悬浮在栅氧化层(5)上方的，形成固支梁结构，这种固支梁栅(6)的锚区(7)制作在栅氧化层(5)上，固支梁栅(6)下方设计有电极板(8)，电极板(8)的上方有栅氧化层(5)的覆盖，固支梁栅NMOS管(1)的电极板(8)是接地，而固支梁栅PMOS管(2)的电极板(8)是接电源；固支梁栅NMOS管的阈值电压设计为正，固支梁栅PMOS管的阈值电压设计为负，固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管的阈值电压的绝对值设计为相等，固支梁栅的下拉电压设计为等于MOS管的阈值电压的绝对值。