[发明专利]有机电致发光装置有效
申请号: | 201510378957.4 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN105280679B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 柳元相;卢相淳;申东菜;崔善英 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 有机电致发光装置。公开了一种有机电致发光装置OELD,该有机电致发光装置包括:第一基板,其包括像素区,所述像素区包括元件区和发光区;存储电容器,其设置在元件区中,所述存储电容器包括第一存储电极、所述第一存储电极上的第一缓冲层、以及所述第一缓冲层上的第二存储电极;第二缓冲层,其在所述存储电容器上;多个TFT,其在所述元件区中并在所述第二缓冲层上;钝化层,其在所述多个TFT上,其中,所述存储电容器与所述多个TFT中的至少一个交叠。 | ||
搜索关键词: | 有机电致发光装置 存储电容器 缓冲层 存储电极 元件区 像素区 第一基板 钝化层 发光区 交叠 | ||
【主权项】:
1.一种有机电致发光装置OELD,该有机电致发光装置包括:第一基板,其包括像素区,所述像素区包括元件区和发光区;存储电容器,其设置在所述元件区中,所述存储电容器包括第一存储电极、所述第一存储电极上的第一缓冲层、和所述第一缓冲层上的第二存储电极;第二缓冲层,其在所述存储电容器上;多个TFT,其在所述元件区,并在所述第二缓冲层上;钝化层,其在所述多个TFT上,其中,所述存储电容器与所述多个TFT中的至少一个交叠,其中,所述多个TFT均包括:半导体层;栅绝缘层,其在所述半导体层上;栅极,其在所述栅绝缘层上;层间绝缘层,其在所述栅极上,并且包括将所述半导体层露出的半导体接触孔;以及源极和漏极,其在所述层间绝缘层上,并且通过对应的半导体接触孔与所述半导体层接触,其中,所述多个TFT包括开关TFT和驱动TFT,其中,所述存储电容器与所述开关TFT和所述驱动TFT中的至少一个交叠,并且所述有机电致发光装置还包括在所述层间绝缘层上的第一辅助图案,其中,所述第一辅助图案连接到所述开关TFT的漏极、所述驱动TFT的栅极和所述存储电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的