[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅MOSFET或非门的RS触发器

摘要

本发明的硅基低漏电流固支梁栅MOSFET或非门的RS触发器包括由第一固支梁栅NMOS管(1)和第二固支梁栅NMOS管(2)组成的第一或非门(G1)，由第三固支梁栅NMOS管(3)和第四固支梁栅NMOS管(4)组成的第二或非门(G2)和两个阻值较大的电阻构成，该RS触发器制作在P型硅衬底上，四个NMOS管的栅极悬浮在二氧化硅层之上，用Al制作而成；下拉电极在固支梁栅下的部分被在二氧化硅层覆盖，下拉电极接地；NMOS管的固支梁栅的下拉电压设计得与NMOS管的阈值电压相等，只有当固支梁栅上所加的电压大于NMOS管的阈值电压，该固支梁栅才能下拉并接触二氧化硅层从而使固支梁栅NMOS管反型导通，正因为如此，就使本发明中的RS触发器具有较小的直流漏电流。

主权项

一种硅基低漏电流固支梁栅MOSFET或非门的RS触发器，其特征在于该触发器包括由第一固支梁栅NMOS管(1)和第二固支梁栅NMOS管(2)组成的第一或非门(G1)，由第三固支梁栅NMOS管(3)和第四固支梁栅NMOS管(4)组成的第二或非门(G2)，每个或非门串接一个电阻(5)，该RS触发器制作在P型硅衬底(13)上，四个固支梁栅(8)即NMOS管的栅极悬浮在二氧化硅层(7)之上，用Al制作而成；固支梁栅(8)的两端分别固定在两个锚区(9)上，锚区(9)用多晶硅制作在二氧化硅层(7)上，N+有源区(10)是NMOS管的源极和漏极，源极和漏极通过通孔(11)与引线(6)连接，下拉电极(12)在固支梁栅(8)下的部分被二氧化硅层(7)覆盖；其中第一或非门(G1)的输出端通过导线与第二或非门(G2)的一个输入端相接，同样第二或非门(G2)的输出端也通过导线与第一或非门(G1)的一个输入端相连接，形成完全对称的结构；RS触发器有两个外接信号输入端分别是SD和RD，以及两个输出端Q和Q'；所述的RS触发器所用的固支梁栅(8)依靠锚区(9)的支撑悬浮在二氧化硅层(7)上方；NMOS管的固支梁栅(8)的下拉电压设计的与NMOS管的阈值电压相等，只有当NMOS管的固支梁栅(8)上所加的电压大于NMOS管的阈值电压时，其固支梁栅(8)才能下拉并接触二氧化硅层(7)从而使固支梁栅NMOS管反型导通，当所加电压小于NMOS管的阈值电压时固支梁栅(8)就不能下拉，当该RS触发器在输入信号的作用下处于工作态时，两个NMOS管就在导通或者截止状态之间变化，当NMOS管处于关断态时其固支梁栅(8)就处于悬浮态。