[发明专利]氮化镓基低漏电流悬臂梁开关交叉耦合振荡器及制备方法有效
| 申请号： | 201510379740.5 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104967407B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;王小虎 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04;B81B7/02 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是氮化镓基低漏电流悬臂梁开关交叉耦合振荡器及制备方法，用具有悬臂梁开关的MESFET代替传统的MESFET。该交叉耦合振荡器的悬臂梁开关的下拉电极接地，设计两个悬臂梁开关MESFET的阈值电压相等，悬臂梁开关MESFET的阈值电压和它的悬臂梁下拉电压相等，当悬臂梁与下拉电极板间的电压大于阈值电压的绝对值，所以悬臂梁开关被下拉到栅极上，悬臂梁开关与栅极紧贴，同时栅极与源极间的电压也大于阈值电压，所以MESFET导通。当MESFET的悬臂梁开关和下拉电极板之间的电压小于阈值电压，悬臂梁开关是悬浮在栅极上方，处于截止。该GaN基低漏电流悬臂梁开关MESFET的交叉耦合振荡器产生稳定振荡，从而降低该交叉耦合振荡器工作时的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基低 漏电 悬臂梁 开关 交叉 耦合 振荡器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基低漏电流悬臂梁开关交叉耦合振荡器，其特征是该振荡器包括第一悬臂梁N型MESFET(1)、第二悬臂梁N型MESFET(2)、LC谐振回路和恒流源(15)组成，该交叉耦合振荡器中的第一悬臂梁N型MESFET(1)和第二悬臂梁N型MESFET(2)都是制作在半绝缘GaN衬底(3)上，其输入引线(4)是利用金制作,N型MESFET栅极(5)与有源层形成肖特基接触，在栅极(5)上方设计了悬臂梁(6)，悬臂梁(6)下方的锚区(7)制作在半绝缘GaN衬底(3)上，在每个悬臂梁(6)下方设计了两个电极板(8)，电极板(8)的上表面覆盖有氮化硅层(9)，电极板(8)接地，第一悬臂梁N型MESFET(1)和第二悬臂梁N型MESFET(2)的源极连在一起并与恒流源相连，恒流源另一端接地，第一悬臂梁N型MESFET(1)的漏极(10)通过引线(14)，锚区(7)与第二悬臂梁N型MESFET(2)的悬臂梁(6)相连，第二悬臂梁N型MESFET(2)的漏极(10)通过引线(14)，锚区(7)与第一悬臂梁N型MESFET(1)的悬臂梁(6)相连形成交叉耦合结构，LC谐振回路接在第一悬臂梁N型MESFET(1)的漏极(10)和第二悬臂梁N型MESFET(2)的漏极(10)之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510379740.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
