[发明专利]金属基电子封装复合材料及其制备方法有效
申请号: | 201510381111.6 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN104962797B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 刘杰 | 申请(专利权)人: | 苏州洋杰电子有限公司 |
主分类号: | C22C30/02 | 分类号: | C22C30/02;C22C32/00;C22F1/16;H01L23/29 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人: | 李纪昌 |
地址: | 215011 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种金属基电子封装复合材料及其制备方法,组分及各组分质量份数如下:Al 15~30份,Cu 20~30份,SiC 10~15份,Mo 2~6份,BeO 3~5份,ZrW2O8 1~4份,GaAs 2~6份。优选组分及质量份数为:Al 18~26份,Cu 22~28份,SiC 12~14份,Mo 3~5份,BeO 3~5份,ZrW2O8 2~3份,GaAs 3~5份,玻璃纤维6~8份,酚醛纤维1~3份。以铝铜为基体,在其上面轧制SiC、Mo、BeO、ZrW2O8、GaAs,并首次添加玻璃纤维、酚醛纤维,得到的复合材料具有优异的热物理性能及力学性能。 | ||
搜索关键词: | 金属 电子 封装 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种金属基电子封装复合材料,其特征在于,组分及各组分质量份数如下:Al 15~30份,Cu 20~30份,SiC 10~15份,Mo 2~6份,BeO 3~5份,ZrW2O8 1~4份,GaAs 2~6份;制备方法包括如下步骤:1)对Al和Cu 金属表面进行处理,将金属表面打磨光滑,控制粗糙度Ra在0.4~1.6以下,然后将两者分别浸入NaCl溶液中2~6h,取出,干燥备用;2)冷轧复合,将剩余组分加入轧机中,初道次变形量控制在20~30%之间,轧制温度为340~420℃,轧制6~10道次,然后在210~240℃下退火1~2h,冷却得金属基电子封装复合材料。
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