[发明专利]通过执行三包工艺形成半导体装置的沟道区的方法有效
| 申请号： | 201510382734.5 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN105244280B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | B·J·帕夫拉克;本塔旭·本汉艾影;M·萨曼尼杰拉德 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本申请揭示通过执行三包工艺形成半导体装置的沟道区的方法。其中一种示例方法包括：除其它以外，形成定义鳍片的多个沟槽；执行多个外延沉积工艺，以围绕该鳍片的暴露部分形成第一、第二以及第三外延半导体材料层；自该鳍片的上表面上方移除该第一、第二以及第三外延半导体材料层，从而暴露该鳍片；相对该第一、第二以及第三外延半导体材料层选择性移除该鳍片，从而定义由该第一、第二以及第三外延半导体材料层组成的两个鳍片结构；以及围绕由该第一、第二以及第三外延半导体材料层组成的该鳍片结构的至少其中一个的部分形成栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 外延半导体材料 鳍片 半导体装置 鳍片结构 沟道区 外延沉积工艺 选择性移除 栅极结构 上表面 暴露 移除 申请 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括：在半导体衬底中形成多个沟槽，以定义鳍片；执行多个外延沉积工艺，以围绕该鳍片的暴露部分形成第一、第二以及第三外延半导体材料层；执行至少一个工艺操作，以自该鳍片的上表面上方移除该第一、第二以及第三外延半导体材料层，从而暴露该鳍片；执行蚀刻工艺，以相对该第一、第二以及第三外延半导体材料层选择性移除该鳍片，从而定义由该第一、第二以及第三外延半导体材料层组成的两个鳍片结构；以及围绕由该第一、第二以及第三外延半导体材料层组成的该鳍片结构的至少其中一个的部分形成栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
