[发明专利]具有垂直沟道的半导体器件有效
| 申请号： | 201510383193.8 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN105322019B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 赵子群;许有志 | 申请（专利权）人： | 安华高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及具有垂直沟道的半导体器件。本发明提供了半导体器件及制造方法，用于使沟道和栅极长度与光刻无关。此外，本发明提供了半导体器件及制造方法，用于增加漏极与沟道之间的电阻率以允许更高电压操作。例如，本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括注入于半导体基板中形成源极或漏极中的一者的第一掺杂层及设置于第一掺杂层上的栅极金属层。所述半导体器件还包括设置于栅极金属层上形成源极或漏极中另一者的第二掺杂层，其中第一掺杂层、栅极金属层及第二掺杂层形成半导体器件的层垂直堆叠体。所述半导体器件还包括形成于沟槽中的导电沟道，所述沟槽垂直延伸穿过层垂直堆叠体并终止于半导体基板处。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 沟道 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一掺杂层，注入半导体基板中形成源极或漏极中的一者；栅极金属层，设置于所述第一掺杂层上；第二掺杂层，设置于所述栅极金属层上形成所述源极或所述漏极中的另一者，其中所述第一掺杂层、所述栅极金属层及所述第二掺杂层形成所述半导体器件的层垂直堆叠体；以及导电沟道，形成于沟槽中，所述沟槽垂直延伸穿过所述层垂直堆叠体的所述第一掺杂层、所述栅极金属层以及所述第二掺杂层并终止于所述半导体基板处。
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