[发明专利]一种单晶炉引晶埚位的确定方法

摘要

一种单晶炉引晶埚位的确定方法，涉及到直拉法生产单晶硅棒领域，在石墨坩埚中设置一圆盘，且该圆盘的上表面与正常拉晶时液面位置相平齐，然后依次确定上轴的下降行程和下轴的上升行程，从而最终精确确定引晶埚位。本发明通过使用圆盘来精确定位引晶埚位，操作简单，所需工具易于加工、成本低廉，可应用到所有直拉单晶炉，对于不同尺寸的热场，只需要改变圆盘尺寸即可，对于同一单晶炉，调整投料量后，也可以精确定位引晶埚位，可以保证不同炉次的引晶埚位一致，拉制出的单晶棒质量稳定。

主权项

一种单晶炉引晶埚位的确定方法，所述单晶炉引晶动作包括两部分，一部分为下轴通过其顶部设置的石墨坩埚带动装有多晶硅的石英坩埚上下运动，且石英坩埚设置在石墨坩埚内，另一部分为上轴通过其底部设置的籽晶卡头带动籽晶的上下运动，其特征在于，确定引晶埚位的方法如下：1）确定石墨坩埚的内径，圆盘的外径比石墨坩埚上口的内径小2mm，确定圆盘的外径尺寸为d；2）制作一外径尺寸为d的圆盘；3）然后将制作好的圆盘水平放置于石墨坩埚中，圆盘放置于石墨坩埚的弧度r处，关闭单晶炉；4）上升下轴，使其带动石墨坩埚上升，直至圆盘上表面与热屏下沿接触，记录此位置后，下降下轴20mm，并测量确认热屏下沿与圆盘上表面的距离为20mm；5）下降上轴，直至籽晶刚好接触圆盘上表面，记录上轴的下降行程位置S；在下降上轴过程中，从单晶炉前窥视孔观察炉内籽晶的位置，下降上轴时，刚开始快速下降籽晶，在快要接近圆盘时以1mm/min的速度缓慢下降籽晶，待籽晶刚好接触圆盘上表面时停止下降上轴；6）从石墨坩埚中取出圆盘，然后将装有多晶硅料的石英坩埚装入石墨坩埚中，加热熔化多晶硅，待多晶硅液的液面稳定后，下降上轴至步骤5）中记录的上轴下降行程位置S；7）以1mm/min的上升速度上升下轴，使多晶硅液的液面刚好接触籽晶，记录此时石英坩埚和石墨坩埚的位置，此位置即为液面距热屏下沿20mm的引晶埚位，可依照此位置持续生产。