[发明专利]填隙方法有效
| 申请号： | 201510387194.X | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN105319839B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | J·H·沈;J-B·廉;J·K·赵;B-K·顾;C-B·徐 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限责任公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;江磊 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供填隙方法。所述方法包括：(a)提供半导体衬底，在所述衬底的表面上具有凸纹图像，所述凸纹图像包括多个有待填充的间隙，其中所述间隙的宽度是50nm或低于50nm；(b)在所述凸纹图像上施加填隙组合物，其中所述填隙组合物包含：含可交联基团的第一聚合物、含发色团的第二聚合物，其中所述第一聚合物与所述第二聚合物不同；交联剂；酸催化剂；及溶剂，其中所述填隙组合物是安置于所述间隙中；(c)在一定温度下加热所述填隙组合物以使所述第一聚合物自交联和/或与所述第二聚合物交联以形成交联聚合物；(d)在包含所述交联聚合物填充的间隙的所述衬底上形成光致抗蚀剂层；(e)将所述光致抗蚀剂层逐图案曝露于活化辐射；以及(f)使所述光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案。所述方法特别适用于在半导体装置的制造中用抗反射涂层材料填充高纵横比间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 填隙 方法 | ||
【主权项】：
一种填隙方法，所述方法包括：(a)提供半导体衬底，在所述衬底的表面上具有凸纹图像，所述凸纹图像包括多个有待填充的间隙，其中所述间隙的宽度是50nm或低于50nm；(b)在所述凸纹图像上施加填隙组合物，其中所述填隙组合物包含：含可交联基团的第一聚合物、含发色团的第二聚合物，其中所述第一聚合物与所述第二聚合物不同；交联剂；酸催化剂；及溶剂，其中所述填隙组合物是安置在所述间隙中；(c)在一定温度下加热所述填隙组合物以使所述第一聚合物自交联和/或与所述第二聚合物交联以形成交联聚合物；(d)在包含所述交联聚合物填充的间隙的所述衬底上形成光致抗蚀剂层；(e)使所述光致抗蚀剂层逐图案曝露于活化辐射；以及(f)使所述光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案。
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