[发明专利]一种氮化硅微米管制造方法有效
| 申请号： | 201510388039.X | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN105047920B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 汤自荣;胡浩;龙胡;龚渤;史铁林 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M4/136;H01M10/0525;C01B21/068 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化硅微米管的制备方法，该方法将去除保护层的光纤表面涂覆一层均匀的石墨粉后在300～600℃的温度区间内热解，使光纤表面形成均匀厚度的碳膜；再将光纤在氮气条件下以1100～1600℃的温度区间高温加热，使碳膜与光纤表面的二氧化硅产生反应生成硅，然后硅与氮气发生反应在光纤表面形成氮化硅薄膜；将形成氮化硅薄膜的光纤刻蚀掉，形成中空的氮化硅微米管。该氮化硅微米管与炭黑进行混合，使氮化硅微米管增强导电性，然后在其中加入热熔型粘结剂形成混合物，再均匀涂在洗净的铜箔表面，可得到氮化硅微米管组成的硅负极材料。本发明制造的氮化硅微米管结构可用于制备锂电池的电极材料。本发明方法工艺流程简单，可控性强，成本比较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 微米 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅微米管制造方法，该方法包括下述步骤：第1步 将去除保护层的光纤表面涂覆一层均匀的石墨粉后在300～600℃的温度区间内热解，使光纤表面形成一层均匀厚度的碳膜；第2步 将表面覆盖一层碳膜的光纤在氮气条件下以1100～1600℃的温度区间高温加热，使光纤表面的碳膜与光纤表面的二氧化硅产生反应生成硅，然后生成的硅与氮气发生反应在光纤表面形成氮化硅薄膜；第3步 将形成氮化硅薄膜的光纤刻蚀掉，形成中空的氮化硅微米管。
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